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IGBT实物图+电路符号图
你可以把 IGBT 看作 BJT 和 MOS 管的融合体，IGBT具有 BJT 的输入特性和 MOS 管的输出特性。
与 BJT 或 MOS管相比，绝缘栅双极型晶体管 IGBT 的优势在于它提供了比标准双极型晶体管更大的功率增益，以及更高的工作电压和更低的 MOS 管输入损耗。
IGBT的电路符号与等效电路图
IGBT的内部结构图
如上图所示，最靠近集电极区的层是 (p+) 衬底，即注入区；在它上面是 N 漂移区域，包括 N 层。注入区将大部分载流子（空穴电流）从 (p+) 注入 N- 层。
漂移区的厚度决定了 IGBT 的电压阻断能力。
漂移区域的上面是主体区域，它由 (p) 基板组成，靠近发射极，在主体区域内部，有 (n+) 层。
注入区域和 N 漂移区域之间的连接点是 J2。类似地，N-区域 和 主体区域之间的结点是结点 J1。
注意：IGBT 的结构在拓扑上类似于“MOS”栅极的晶闸管。但是，晶闸管动作和功能是可抑制的，这意味着在 IGBT 的整个器件工作范围内只允许晶体管动作。
IGBT 比晶闸管更可�。蛭д⒐艿却愕目焖偾谢�。
如果正输入电压通过栅极，发射极保持驱动电路开启。另一方面，如果 IGBT 的栅极端电压为零或略为负，则会关闭电路应用。
由于 IGBT 既可用作 BJT 又可用作 MOS管，因此它实现的放大量是其输出信号和控制输入信号之间的比率。
对于传统的 BJT，增益量与输出电流与输入电流的比率大致相同，我们将其称为 Beta 并表示为 β。
另一方面，对于 MOS管，没有输入电流，因为栅极端子是主通道承载电流的隔离。我们通过将输出电流变化除以输入电压变化来确定 IGBT 的增益。
IGBT 结构图
如下图所示，当集电极相对于发射极处于正电位时，N 沟道 IGBT 导通，而栅极相对于发射极也处于足够的正电位 (>V GET )。这种情况导致在栅极正下方形成反型层，从而形成沟道，并且电流开始从集电极流向发射极。
IGBT 中的集电极电流 Ic 由两个分量 Ie和 Ih 组成。Ie 是由于注入的电子通过注入层、漂移层和最终形成的沟道从集电极流向发射极的电流。Ih 是通过 Q1 和体电阻 Rb从集电极流向发射极的空穴电流。因此
尽管 Ih几乎可以忽略不计，因此 Ic ≈ Ie。
在 IGBT 中观察到一种特殊现象，称为 IGBT 的闩锁。这发生在集电极电流超过某个阈值（ICE）。在这种情况下，寄生晶闸管被锁定，栅极端子失去对集电极电流的控制，即使栅极电位降低到 VGET以下，IGBT 也无法关闭。
现在要关断 IGBT，我们需要典型的换流电路，例如晶闸管强制换流的情况。如果不尽快关闭设备，可能会损坏设备。
集电极电流公式
下图很好地解释IGBT的工作原理，描述了 IGBT 的整个器件工作范围。
IGBT的工作原理图
IGBT 仅在栅极端子上有电压供应时工作，它是栅极电压，即 VG。
如上图所示，一旦存在栅极电压 ( VG ) ，栅极电流 ( IG ) 就会增加，然后它会增加栅极-发射极电压 ( VGE )。
因此，栅极-发射极电压增加了集电极电流 ( IC )。因此，集电极电流 ( IC ) 降低了集电极到发射极电压 ( VCE )。
注意：IGBT 具有类似于二极管的电压降，通常为 2V 量级，仅随着电流的对数增加。
IGBT 使用续流二极管传导反向电流，续流二极管放置在 IGBT 的集电极-发射极端子上。
IGBT 的近似等效电路
仔细检查 IGBT 的基本结构，可以得出这个等效电路，基本结构如下图所示。
等效电路图的基本结构
穿通 IGBT、PT-IGBT：穿通 IGBT、PT-IGBT 在发射极接触处具有 N+ 区。
观察上面显示 IGBT 的基本结构，可以看到到从集电极到发射极存在另一条路径，这条路径是集电极、p+、n- 、 p（n 通道）、n+ 和发射极。
因此，在 IGBT 结构中存在另一个晶体管 Q2作为 n – pn+，因此，我们需要在近似等效电路中加入这个晶体管 Q2以获得精确的等效电路。
IGBT 的精确等效电路如下所示：
IGBT的精确等效电路图
该电路中的 Rby 是 p 区对空穴电流的流动提供的电阻。
众所周知，IGBT是 MOS 管的输入和 BJT 的输出的组合，它具有与N沟道MOS管和达林顿配置的PNP BJT等效的结构，因此也可以加入漂移区的电阻。
IGBT的静态特性图
当 IGBT 处于关闭模式时（VCE为正且 VGE < VGET），反向电压被 J 2 阻断，当它被反向偏置时，即 VCE为负，J 1 阻断电压。
IGBT的典型开关电路图
下图显示了IGBT 的典型开关特性。
IGBT 的典型开关特性
导通时间（ t on）：通常由延迟时间 (t dn ) 和上升时间 (t r ) 两部分组成。
延迟时间 （t dn )：定义为集电极电流从漏电流 ICE上升到 0.1 IC（最终集电极电流）和集电极发射极电压从 VCE下降到 0.9VCE的时间。
上升时间 （t r )：定义为集电极电流从 0.1 IC上升到 IC以及集电极-发射极电压从 0.9V CE下降到 0.1 VCE的时间。
关断时间（ t off）:由三个部分组成，延迟时间 (t df )、初始下降时间 (t f1 ) 和最终下降时间 (t f2 )。
延迟时间 （t df )：定义为集电极电流从 I C下降到 0.9 I C并且 V CE开始上升的时间。
初始下降时间 （t f1 )：集电极电流从 0.9 I C下降到 0.2 I C并且集电极发射极电压上升到 0.1 V CE的时间。
最终下降时间 （t f2 )：定义为集电极电流从 0.2 I C下降到 0.1 I C并且 0.1V CE上升到最终值 V CE的时间。
关断时间公式
导通时间公式
当施加到栅极引脚的电压超过阈值电压时，IGBT 开始导通，集电极电流 I G开始在集电极和发射极端子之间流动。集电极电流相对于栅极电压增加，如下图所示。
IGBT的输入特性图
IGBT 的输出特性图
IGBT 的输出特性分为三个阶段：
第一阶段：当栅极电压 VGE 为零时，IGBT 处于关断状态，这称为截止区。
第二阶段：当 VGE 增加时，如果它小于阈值电压，那么会有很小的漏电流流过 IGBT ，但I GBT 仍然处于截止区。
第三阶段：当 VGE增加到超过阈值电压时，IGBT 进入有源区，电流开始流过 IGBT 。如上图所示，电流将随着电压 VGE的增加而增加。
具有更高的电压和电流处理能力。
具有非常高的输入阻抗。
可以使用非常低的电压切换非常高的电流。
电压控制装置，即它没有输入电流和低输入损耗。
栅极驱动电路简单且便宜，降低了栅极驱动的要求
通过施加正电压可以很容易地打开它，通过施加零电压或负电压可以很容易地关闭它。
具有非常低的导通电阻。
具有高电流密度，使其能够具有更小的芯片尺寸。
具有比 BJT 和 MOS 管更高的功率增益。
具有比 BJT 更高的开关速度。
可以使用低控制电压切换高电流电平。
由于双极性质，增强了传导性。
更安全
2、缺点
开关速度低于 MOS管。
单向的，在没有附加电路的情况下无法处理AC波形。
不能阻挡更高的反向电压。
比 BJT 和 MOS管 更昂贵。
类似于晶闸管的 PNPN 结构，它存在锁存问题。
与 PMOS 管 相比，关断时间长。
类似于晶闸管的 PNPN 结构，它存在锁存问题。
与 PMOS 管 相比，关断时间长。
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